结合传统Al2O3和BeO衬底材料的综合性能优势，氮化铝（AlN）陶瓷具有高导热性（单晶的理论导热率为275W/m▪k、 多晶体的理论导热系数为70~210W/m▪k） ，介电常数低，热膨胀系数与单晶硅相匹配，具有良好的电绝缘性能，是微电子行业电路基板和封装的理想材料。由于其良好的高温力学性能、热性能和化学稳定性，它也是高温结构陶瓷元件的重要材料。
AlN的理论密度为3.26g/cm3，MOHS硬度为7-8，室温电阻率大于1016Ωm，热膨胀率为3.5×10-6/℃（室温200℃）。纯AlN陶瓷是无色透明的，但由于杂质的存在，它们会变成各种颜色，如灰色、灰白色或浅黄色。
AlN陶瓷除了具有高导热性外，还具有以下优点：
1.电气绝缘良好；
2.热膨胀系数与硅单晶相近，优于Al2O3、BeO等材料；
3.具有较高的机械强度和与Al2O3陶瓷类似的弯曲强度；
4.介电常数和介电损耗适中；
5.与BeO相比，AlN陶瓷的热导率受温度的影响较小，尤其是在200℃以上；
6.耐高温、耐腐蚀；
7.无毒；
8.适用于半导体工业、化学冶金工业等工业领域。
